SDU Mikroelektronik præsenterer ny forskning i Logic-in-Memory for STT-RAM på IEEE SOCC 2026

Om forskningen

Arbejdet præsenterer en samlet Logic-in-Memory-arkitektur (LiM) til Spin-Transfer Torque RAM (STT-RAM), som gør det muligt at udføre de logiske operationer OR/NOR, AND/NAND og XOR/XNOR direkte i standard STT-RAM-hukommelsesceller. Det er væsentligt, at den foreslåede tilgang ikke kræver strukturelle ændringer af konventionelle STT-RAM-arrays, hvilket understøtter en kompakt integration af beregning og hukommelse. Designet sigter mod kortere forsinkelse og mindre hardware-overhead, samtidig med at det bevarer en konkurrencedygtig energieffektivitet. Dermed bidrager det til skalerbare in-memory computing-systemer, der reducerer den omkostningstunge dataflytning mellem processorer og hukommelse.

Artiklen er skrevet af Pegah Shafaghi, Yasser Rezaeiyan, Sonal Shreya, Farshad Moradi og Hooman Farkhani og samler forskere fra Syddansk Universitet og Aarhus Universitet.

På IEEE SOCC 2026

Arbejdet blev præsenteret den 30. september i den tekniske session “TS4: Devices and Platforms for Edge and Accelerated AI/ML Computing I”, som Hooman Farkhani var chair for. Sessionen samlede forskning i nye komponenter, computerplatforme og arkitekturer til effektive edge- og AI-systemer – et emne, der ligger tæt op ad SDU Mikroelektroniks aktiviteter inden for nye hukommelsesteknologier og energieffektiv databehandling.

Om artiklen

• Titel: Efficient Logic-in-Memory Design for STT-RAM
• Forfattere: Pegah Shafaghi, Yasser Rezaeiyan, Sonal Shreya, Farshad Moradi og Hooman Farkhani
• Konference: 39th IEEE International System-on-Chip Conference (IEEE SOCC 2026), Heidelberg, Tyskland, 30. september – 2. oktober 2026
• Session: TS4: Devices and Platforms for Edge and Accelerated AI/ML Computing I

Læs mere om SDU Mikroelektroniks forskning inden for Advanced Computing.

Læs også: First SDU Microelectronics publication on probabilistic computing presented at IEEE SOCC 2026